آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م): تفاوت میان نسخهها
Mohammadi3 (بحث | مشارکتها) جز (Mohammadi3 صفحهٔ آلفروف، ژورس (۱۹۳۰) را بدون برجایگذاشتن تغییرمسیر به آلفروف، ژورس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م) منتقل کرد) |
Mohammadi3 (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
||
| خط ۲۷: | خط ۲۷: | ||
|باشگاه = | |باشگاه = | ||
}}[[پرونده:10192800.jpg|بندانگشتی|ژورس آلفروف]] | }}[[پرونده:10192800.jpg|بندانگشتی|ژورس آلفروف]] | ||
آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores) <p style="text-align: justify;">فیزیکدان روس. با فیزیکدان آلمانی، [[کرومر، هربرت | آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores) <p style="text-align: justify;">فیزیکدان روس. با فیزیکدان آلمانی، [[کرومر، هربرت|هربرت کرومر]]<ref>Herbert Kroemer</ref>، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی<ref>Jack S. Kilby</ref>، بهخاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م [[نوبل، جایزه|جایزۀ نوبل]] فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن<ref>heterostructures</ref> [[نیم رسانا|نیمرسانا]]<ref>semiconductor</ref> پیشگام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد<ref>high-speed electronics</ref> و اُپتوالکترونیک<ref>optoelectronics</ref> بهکار میروند. اُپتوالکترونیک شاخهای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به [[الکترون]] و هم نسبت به [[فوتون]] حساساند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری<ref>laser</ref> را شرح میداد و با استفاده از قطعات نیمرسانای ناهمگن ساخته میشد. نیمرساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل [[آرسنید گالیوم]]<ref>gallium arsenide</ref>، از لایههای نازکی تشکیل میشوند که یک در میان نیمرسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیمرسانای ناهمگنی را ساخت که لایههای آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیمرسانای قابل استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیمرسانا معمولاً در دستگاههای پخش لوح فشرده و بارکُدخوان<ref>barcode reader</ref>ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری<ref>fibre optic cable</ref> بهکار میروند. آلفروف در [[ویتسیبسک|ویتسیِبسک]]<ref>Vitsyebsk</ref>، واقع در [[بلاروس]]، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف<ref>A. F. Ioffe Physico-Technical Institute</ref> در [[سن پترزبورگ|سنپترزبورگ]]<ref>St Petersburg</ref> [[روسیه]] پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آنجا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایبرئیس آکادمی علوم روسیه<ref>Russian Academy of Sciences</ref> شد.<br/> </p> | ||
---- | ---- | ||
[[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]] | [[Category:فیزیک و مکانیک]] [[Category:(فیزیک و مکانیک)اشخاص و آثار]] | ||
نسخهٔ کنونی تا ۸ اکتبر ۲۰۲۵، ساعت ۰۷:۲۵
| ژورس آلفروف Zhores Alferov | |
|---|---|
| زادروز |
ویتسیبسک، بلاروس ۱۹۳۰م |
| درگذشت | 2019م |
| ملیت | روسیهای |
| شغل و تخصص اصلی | فیزیکدان |
| فعالیت های مهم | ساخت اولین نیمرسانای ناهمگن با لایههای مجزا (۱۹۶۹م) |
| سمت | مدیر موسسه فیزیک و مهندسی ای اف آیوف در سن پترزبورگ (۱۹۸۷م)، ناینایبرئیس آکادمی علوم روسیه (۱۹۸۹م) |
| گروه مقاله | فیزیک و مکانیک |
| جوایز و افتخارات | نوبل فیزیک مشترکاً با هربرت کرومر و جک کیلبی (۲۰۰۰م) |
آلفِروف، ژورِس (۱۹۳۰-۲۰۱۹م)(Alferov, Zhores)
فیزیکدان روس. با فیزیکدان آلمانی، هربرت کرومر[۱]، و مهندس برق امریکایی، جک کیلبی[۲]، بهخاطر تحقیق دربارۀ فناوری اطلاعات و ارتباطات، در سال ۲۰۰۰م جایزۀ نوبل فیزیک گرفت. آلفروف در توسعۀ ساختارهای ناهمگن[۳] نیمرسانا[۴] پیشگام بود که در حوزۀ الکترونیکِ سرعت زیاد[۵] و اُپتوالکترونیک[۶] بهکار میروند. اُپتوالکترونیک شاخهای از الکترونیک برای ساخت وسایلی است که هم نسبت به الکترون و هم نسبت به فوتون حساساند. در ۱۹۶۳م، مستقلاً اصلی را مطرح کرد که ساختار دستگاه لیزری[۷] را شرح میداد و با استفاده از قطعات نیمرسانای ناهمگن ساخته میشد. نیمرساناهایی که ساختار ناهمگن دارند، مثل آرسنید گالیوم[۸]، از لایههای نازکی تشکیل میشوند که یک در میان نیمرسانایند. در ۱۹۶۹م، اولین نیمرسانای ناهمگنی را ساخت که لایههای آن مجزا بود. به کمک این ساختار، لیزرهای نیمرسانای قابل استفاده در دمای اتاق ساخته شد. لیزرهای نیمرسانا معمولاً در دستگاههای پخش لوح فشرده و بارکُدخوان[۹]ها، و ارسال اطلاعات از طریق کابل تارِ نوری[۱۰] بهکار میروند. آلفروف در ویتسیِبسک[۱۱]، واقع در بلاروس، زاده شد. در ۱۹۵۳م، به مؤسسۀ فیزیک و مهندسی اِی اف آیوف[۱۲] در سنپترزبورگ[۱۳] روسیه پیوست و در ۱۹۸۷م، مدیریت آنجا را برعهده گرفت. در ۱۹۸۹م، نایبرئیس آکادمی علوم روسیه[۱۴] شد.